| 发明名称 |
FORMATION METHOD OF DEVICE SUBSTRATUM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04162621(A) |
申请公布日期 |
1992.06.08 |
| 申请号 |
JP19900287207 |
申请日期 |
1990.10.26 |
| 申请人 |
HITACHI LTD;HITACHI MAIKON SHISUTEMU:KK |
发明人 |
UCHIYAMA TETSUO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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