半导体记忆装置

摘要

一种半导体记忆装置，系具有多个储存单元（memory cell)，而每一储存单元包括：在半导体基板表面形成一电晶体及一端子，并在该半导体基板上面形成一电容器以及第１电极与第２电极，而该第１电极系被连接于上述电晶体之一端子。上述电容器之第１电极，系由通常呈长方立体形或杯形的主部与取一间隔围绕于该主部侧壁之外周之外周部、及将上述主部之端部连接于外周部之端部的底部等所构成。另一方面，上述电容器之第２电极，系由分别对向于上述第１电极之主部、外周部及底部之各部分所构成者。