| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen, insbesondere von Dioden, bei dem mindestens zwei Halbleiterkörper miteinander verbunden werden. Um in einfacher Weise funktionsfähige Strukturen, insbesondere Diodenverhalten, zu erreichen, weist einer der Halbleiterkörper (10') hohe Leitfähigkeit des einen Leitungstyps auf, während im anderen Halbleiterkörper (10'') zumindest zwei Schichten unterschiedlicher Dotierungsdichte, von denen zumindest eine Schicht einen entgegengesetzten Leitungstyp wie der eine Halbleiterkörper besitzt, ausgebildet und die Halbleiterkörper nach dem Silicium-Verschmelzungs-Verbindungsverfahren (SFB) miteinander verbunden werden.</p> |
