在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备

摘要

硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成P-N结的过程制造的，其中含有选定掺杂物的液态掺杂物源材料是喷涂在该基片的一侧，而后将基片在含氧环境中焙烧，所用的条件是计算出来的，以让该的掺杂物能扩散进入基片。从而在每一基片上形成浅薄的P-N结。

主权项

1、一种在基片上形成p-n结的方法，包括以下步骤： (a)将多块带有前后表面的基片运送进入加工室，所述基片为具有第一个导电率型； (b)在上述处理室中，不使用空气在每一个上述前表面上喷涂一层液态掺杂物源材料； (c)对上述涂层进行干燥，以在上述前表面上留下含掺杂物的残留物，以及 (d)对上述干燥过的涂层进行焙烧，使上述掺杂物从上述残留物中扩散到上述基片中，以便提供第二个相反导电率型的区域以及在靠近上述前表面处的p-n结。