| 发明名称 |
DIELECTRIC-FILLED-GROOVE ISOLATION STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0220542(B1) |
申请公布日期 |
1992.05.27 |
| 申请号 |
EP19860113734 |
申请日期 |
1986.10.03 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
FUKUSHIMA, TOSHITAKA FUJITSU LTD. PATENT DEPT. |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/308;H01L21/763 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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