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发明名称
SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
<p>A spare Y decoder is provided with MOS transistors 14 and 20 for charge on both sides of a parasitic resistor 19. As a result, nodes N1 and N2 are rapidly charged by the MOS transistors 20 and 14 for charge, respectively.</p>
申请公布号
EP0195631(B1)
申请公布日期
1992.05.27
申请号
EP19860301928
申请日期
1986.03.17
申请人
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人
MASHIKO, KOICHIRO C/O MITSUBISHI DENKI;MOROOKA, YOSHIKAZU C/O MITSUBISHI DENKI;YAMAGATA, TADATO C/O MITSUBISHI DENKI;IKEDA, YUTO C/O MITSUBISHI DENKI
分类号
G11C11/408;G11C29/00
主分类号
G11C11/408
代理机构
代理人
主权项
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