发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要 <p>A spare Y decoder is provided with MOS transistors 14 and 20 for charge on both sides of a parasitic resistor 19. As a result, nodes N1 and N2 are rapidly charged by the MOS transistors 20 and 14 for charge, respectively.</p>
申请公布号 EP0195631(B1) 申请公布日期 1992.05.27
申请号 EP19860301928 申请日期 1986.03.17
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 MASHIKO, KOICHIRO C/O MITSUBISHI DENKI;MOROOKA, YOSHIKAZU C/O MITSUBISHI DENKI;YAMAGATA, TADATO C/O MITSUBISHI DENKI;IKEDA, YUTO C/O MITSUBISHI DENKI
分类号 G11C11/408;G11C29/00 主分类号 G11C11/408
代理机构 代理人
主权项
地址