| 摘要 |
<P>Un procédé de formation d'une couche d'oxyde de champ (36) d'un dispositif à semi-conducteur à intégration poussée comporte les étapes de dépôt d'une couche d'oxyde de support (31) et d'une couche de nitrure (33) sur un substrat (30), de retrait de la couche de nitrure (33) sur une zone de champ, de formation d'éléments intercalaires (34) sur les parois latérales de la couche de nitrure restante, de dopage d'une impureté dans la zone de champ en utilisant les éléments intercalaires (34) comme un masque, d'oxydation thermique du substrat (30) exposé dans la zone de champ, de croissance de la couche d'oxyde de champ (36), et d'aplanissement de la partie supérieure de la couche d'oxyde de champ (36) par un processus de regravure, réduisant ainsi le problème de recouvrement de la couche d'oxyde de champ (36). <BR/> Par conséquent, la taille du bec et la contrainte peuvent être réduites sur les bords de la zone de champ. La couche d'arrêt de canal fortement dopée est formée uniquement dans la section médiane de la zone de champ, empêchant ainsi l'abaissement de la tension de claquage et la pénétration.</P>
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