发明名称 | 钴铁镍铌硅硼非晶薄膜 | ||
摘要 | 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法,属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外,其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺,故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300),且高频特性好,耐腐蚀性好。 | ||
申请公布号 | CN1061299A | 申请公布日期 | 1992.05.20 |
申请号 | CN91106523.7 | 申请日期 | 1991.08.20 |
申请人 | 山东大学 | 发明人 | 刘宜华;梅良模;栾开政;张连生 |
分类号 | H01F41/20;H01F10/10 | 主分类号 | H01F41/20 |
代理机构 | 山东大学专利事务所 | 代理人 | 许德山 |
主权项 | 1、钴铁镍铌硅硼非晶薄膜属高导磁非晶薄膜制备处理领域,其特征为该薄膜材料由钴铁镍铌硅硼组成,经真空镀膜工艺将其镀在一基片衬底上形成制备态非晶薄膜,制备态非晶薄膜被固定在退火管内,待管内抽真空度达10-3Torr数量级后再向管内充氩气,随后使退火管自然升温至420℃保持10分钟,再自然降温至310℃,然后加1600奥斯特的磁场退火10分钟,最后使退火管在磁场中旋转退火10分钟,通水和吹风使其快速冷却至室温状态。 | ||
地址 | 250100山东省济南市山大南路27号 |