发明名称 钴铁镍铌硅硼非晶薄膜
摘要 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法,属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外,其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺,故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300),且高频特性好,耐腐蚀性好。
申请公布号 CN1061299A 申请公布日期 1992.05.20
申请号 CN91106523.7 申请日期 1991.08.20
申请人 山东大学 发明人 刘宜华;梅良模;栾开政;张连生
分类号 H01F41/20;H01F10/10 主分类号 H01F41/20
代理机构 山东大学专利事务所 代理人 许德山
主权项 1、钴铁镍铌硅硼非晶薄膜属高导磁非晶薄膜制备处理领域,其特征为该薄膜材料由钴铁镍铌硅硼组成,经真空镀膜工艺将其镀在一基片衬底上形成制备态非晶薄膜,制备态非晶薄膜被固定在退火管内,待管内抽真空度达10-3Torr数量级后再向管内充氩气,随后使退火管自然升温至420℃保持10分钟,再自然降温至310℃,然后加1600奥斯特的磁场退火10分钟,最后使退火管在磁场中旋转退火10分钟,通水和吹风使其快速冷却至室温状态。
地址 250100山东省济南市山大南路27号