| 发明名称 |
VERTICAL GATE-INSULATED FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04145628(A) |
申请公布日期 |
1992.05.19 |
| 申请号 |
JP19900269232 |
申请日期 |
1990.10.06 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
MATSUMOTO SATOSHI;OONO AKIKAZU;IZUMI KATSUTOSHI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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