Process for obtaining a coating by deposition, in particular by laser or pseudo-spark ablation.

摘要

Um das Schichtwachstum bei gepulsten Abscheidungsverfahren, insbesondere durch gepulste Laser- oder Pseudofunken-Ablation zu verbessern, werden Gaspulse (8) in Form von Überschallmolekülstrahlen (bzw. -Atomstrahlen) einer Länge von 1µ bis 10 ms auf das Substrat (5), bzw. die Filmoberfläche gegeben. Die Gaspulse werden mit den Ablationspulsen (2) zeitlich so koordiniert, daß z.B. ein Gaspuls kurz nach den ablatierten Teilchen das Substrat erreicht. Aufgrund der gepulsten Gaszufuhr kann der Druck am Substrat kurzzeitig bedeutend höher als der maximal mögliche stationäre Hintergrunddruck sein, wodurch im Falle von Reaktivgas dessen Einbau deutlich verbessert wird. Zudem kann der stationäre Hintergrunddruck beim erfindungsgemäßen Verfahren viel kleiner sein als bei einer stationären Gaszufuhr, wodurch großflächige Substrate beschichtet werden können. Bei vielen Systemen läßt sich mit der Erfindung die Substrattemperatur deutlich absenken, wenn das Reaktivgas in aktivierter Form (als Ionen und/oder Radikale) pulsartig auf das Substrat geblasen wird. <IMAGE>