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经营范围
发明名称
Polysilicon FETs
摘要
Field effect transistors in which the channel region is made of thin highly doped polysilicon which is preferably also hydrogen passivated.
申请公布号
US5111260(A)
申请公布日期
1992.05.05
申请号
US19900548168
申请日期
1990.07.05
申请人
TEXAX INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人
MALHI, SATWINDER;SHAH, RAJIV
分类号
H01L29/786
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
主权项
地址
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