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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A REGION DOPED TO A LEVEL EXCEEDING THE SOLUBILITY LIMIT
摘要
申请公布号 US5111266(A) 申请公布日期 1992.05.05
申请号 US19910714367 申请日期 1991.06.12
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 FURUMURA, YUJI;MIENO, FUMITAKE;NAKAZAWA, TSUTOMU;ESHITA, TAKASHI;MAEDA, MAMORU;YAMAUCHI, TSUNENORI
分类号 H01L29/08;H01L29/16;H01L29/36;H01L29/737 主分类号 H01L29/08
代理机构 代理人
主权项
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