PISO ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE

摘要

Un circuit de protection à semi-conducteur comprend un substrat à semi-conducteur (2) ayant un premier type de conductivité, une première région (6) du premier type de conductivité formé dans le substrat au niveau d'une de ses surfaces et ayant un degré relativement différent de conductivité par rapport au substrat, une région ayant un second type de conductivité (8) formé dans la première région (6) ayant le premier type de conductivité, ainsi qu'une seconde région (10) du premier type de conductivité formé partiellement à la fois dans le substrat à semi-conducteur (2) et dans la première région (6) ayant le premier type de conductivité de manière à établir une jonction entre ces derniers.