Integrated bipolar transistor.

摘要

Die erfindungsgemäße Transistorstruktur weist eine Emitterzone (5) auf, die von einer epitaktischen Schicht (7) vollkommen umschlossen ist. Emitterzone (5) und epitaktische Schicht (7) sind in die Basiszone (4, 8) eingebettet, die wannenförmig innerhalb einer auf dem Substrat (1) ausgebildeten epitaktischen Schicht (2) angeordnet ist. Zwischen Halbleitersubstrat und epitaktischer Schicht (2) befindet sind ein buried-layer (3), der bis an die Basiszone (4, 8) angrenzt. Die Basiszone (4, 8) ist ringförmig von einer Kollektorzone (6) umgeben, die von der Oberfläche bis in den buried-layer Bereich (3) reicht. Der Grundriß der Basiszone (4, 8) hat maximale Fläche und minimalen Umfang. <IMAGE>