| 发明名称 | 金属薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属薄膜形成的方法包括如下步骤：形成一层主要由铝构成的非单晶金属膜，其一部分至少与以铝为主要成分的单晶金属相接触；加热所述非单晶金属薄膜使其至少一部分变成单晶态。 | ||
| 申请公布号 | CN1060558A | 申请公布日期 | 1992.04.22 |
| 申请号 | CN91104047.1 | 申请日期 | 1991.07.06 |
| 申请人 | 坪内和夫 | 发明人 | 坪内和夫;益一哉 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/90;H01L23/52;C23C16/00;C30B33/00 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 杨晓光 |
| 主权项 | 1、金属薄膜形成法，其特征是，该方法包括，使以Al作为主要成分的非单晶金属膜的至少一部分与以Al作为主要成分的单晶金属相连接的工序，以及， 加热上述非单晶金属膜以使其至少一部分单晶化的工序。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||