| 摘要 |
On produit un transistor à effet de champ, à couches minces, inversé, auto-aligné en donnant à l'électrode de grille (18) un bord éfilé et en déposant des couches successives épousant les formes du support et constituant la structure du composant, y compris une couche de support (30), et ensuite une couche subordonnée (par exemple la couche de métallisation source/drain (34, 36)) sur la couche de support. La couche subordonnée elle-même peut-être une couche de planarisation ou n'épousant pas les formes du support ou peut supporter elle-même une couche de planarisation (40) n'épousant pas les formes du support. Ensuite, la structure est attaquée de façon non sélective (de préférence par ions réactifs) jusqu'à ce que la couche de support soit mise à nu par la création d'une ouverture dans la couche subordonnée, l'ouverture étant alignée avec les parties hautes de la couche de référence et la couche subordonnée étant laissée sur les autres parties de la structure. Enfin, on termine la fabrication du composant en utilisant un procédé d'attaque sélective, les électrodes de source et de drain (34, 36) étant auto-alignées par rapport au conducteur de grille (18) |
