THIN FILM TRANSISTOR HAVING AN IMPROVED GATE STRUCTURE AND GATE COVERAGE BY THE GATE DIELECTRIC

摘要

Un transistor à film mince comprend une métallisation de porte bi-couche constituée d'une première couche relativement mince d'un premier conducteur et d'une seconde couche relativement épaisse d'un second conducteur, ce dernier pouvant être attaqué par un agent d'attaque qui ne produit pratiquement aucune attaque sur la première couche conductrice. Pendant la fabrication du dispositif, la couche de métallisation de porte épaisse (second conducteur) est attaquée de manière sélective jusqu'à ce que toute la matière soit enlevée dans les ouvertures du masque. La couche inférieure mince (premier conducteur) est ensuite attaquée avec un minimum d'attaque dans le substrat. Le diélectrique de la porte et les couches suivantes déposées sur cette métallisation de porte ont une intégrité et une continuité extrêmement fiable grâce à la pente des parois de la métallisation de la porte, et également grâce à la topographie de métallisation de porte peu profonde due à la minimisation de l'attaque du substrat pendant la configuration de la métallisation de la porte.