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Procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique à pertes réduites dans une couche épitaxiale en silicium. Selon un procédé connu de fabrication d'un guide d'ondes optique à pertes réduites dans une couche épitaxiale en silicium d'un composant en silicium à éléments électroniques intégrés dans un substrat en silicium, une couche isolante est agencée entre le substrat en silicium et la couche épitaxiale en silicium. La couche épitaxiale se compose d'un matériau de type "silicium sur l'isolateur", qui est un matériau rare. Afin de pouvoir mettre en oeuvre de façon relativement économique un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique à pertes réduites, on applique une couche épitaxiale en silicium (2) faiblement dopée sur le substrat en silicium (1). On diffuse dans la couche épitaxiale en silicium une substance contenant un élément du groupe IV de la classification périodique des éléments ayant une composante réelle de l'indice de réfraction plus élevée que celle du silicium. |
