| 发明名称 |
HETERO JUNCTION BI-POLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04101429(A) |
申请公布日期 |
1992.04.02 |
| 申请号 |
JP19900219243 |
申请日期 |
1990.08.20 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
NAKAGAWA ATSUSHI;HIROSE TAKASHI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/737 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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