METHOD AND APPARATUS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTALS

摘要

On forme par croissance des cristaux de composés semi-conducteurs par le procédé épitaxial en phase vapeur organométallique, verticalement en amenant le gaz épitaxial divisé en une pluralité de flux de sorte que chaque débit soit réglé depuis des sous-injecteurs (11) disposés de manière à recouvrir la surface entière d'un substrat (3) afin de former par croissance des cristaux sur la surface entière du substrat (3). Le procédé et l'appareil de la présente invention sont efficaces notamment pour former par croissance des cristaux de composés quaternaires III-V semi-conducteurs.