| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine in einem Halbleitersubstrat integrierte Schaltungsstruktur mit mindestens einem MOS-Transitor. In der Oberfläche des Substrats (11) sind mehrere streifenförmig angeordnete Gräben (14) vorgesehen, deren Oberfläche von einem Gatedielektrikum (15a) im wesentlichen konform bedeckt ist. Source- und Draingebiet (13) sind an gegenüberliegenden Seiten der Gräben (14) so angeordnet, dass der Verlauf der Gräben (14) parallel zur Oberfläche des Substrats (11) senkrecht zur Verbindungslinie zwischen Source- und Draingebiet (13) ist. Die Gräben (24) werden insbesondere mit Hilfe von Elektronenstrahllithographie oder Laser-Interferenz hergestellt. Durch gleichzeitige Ätzung feiner Speicherelektrodenstrukturen kann der MOS-Transistor vorteilhaft in höchstintegrieter DRAMS verwendet werden.</p> |
