| 摘要 |
<p>Transistor à effet de champ comportant, sur un substrat (1), une couche (2) de matériau semiconducteur incorporant des inclusions (20, 21) naturelles ou artificielles en matériau supraconducteur. Sur cette couche (2) sont réalisées les électrodes de source, de drain et de grille (3, 4, 5). APPLICATIONS : Transistors à effet de champ à tension de commande de grille faible <IMAGE></p> |
