Input protection structure for integrated circuits.

摘要

Eine Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen mit einer Oxid-Isolation benachbarter Bauelemente, die durch Verschalten von zwei Transistoren (3, 4) zu einem Thyristor gebildet ist, soll einen hohen Schutz gegen elektrostatische Entladungen insbesondere auch im Falle einer fehlenden Versorgungsspannung (Us) gewährleisten. Zu dem Thyristor (3, 4) ist mindestens ein zusätzlicher Transistor (5) parallel geschaltet, und die Basis des Transistors (5) ist mit einem Anschluß für ein Versorgungspotential (Us) verbunden. <IMAGE>