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<P>L'invention concerne un circuit de précharge et de lecture pour une mémoire en circuit intégré. <BR/> A la base, ce circuit comporte un transistor de précharge (Tp) et un inverseur (I1) rebouclé entre la source et la grille du transistor de précharge pour constituer un circuit d'asservissement imposant une consigne de tension de précharge sur la ligne de bit. Pour accélérer la précharge sans détériorer le fonctionnement pendant la lecture proprement dite, l'invention propose de modifier pendant une phase de précharge les caractéristiques du circuit d'asservissement pour que la tension de consigne imposée pendant la précharge soit plus élevée que la tension de consigne imposée pendant la lecture. Un séquenceur met en service un transistor N'1 ou un transistor N1 comme transistor à canal N de l'inverseur, selon qu'on est en phase de précharge ou en phase de lecture.</P>
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