发明名称 晶片校角与研磨一体化的方法和装置
摘要 本发明涉及一种晶片的磨削加工方法和装置,特别涉及一种晶片加工中校角与研磨一体化的方法和装置,其特征是根据晶片切角误差的大小采用相应倾斜度的系列标准斜面基板固定晶片,使晶片的校角与研磨一同完成,提高了晶片校角的精度和效率,省时、省功、解决了晶片大批量生产切角精度的同一性、稳定性,其优点是非常突出的。
申请公布号 CN1015969B 申请公布日期 1992.03.25
申请号 CN90106569.2 申请日期 1990.08.03
申请人 航空航天工业部第二研究院二○三所 发明人 范正强;姚克;孙瑞生;刘秉权
分类号 B24B37/04 主分类号 B24B37/04
代理机构 航空航天工业部第二研究院专利代理事务所 代理人 段伦淮;马文良
主权项 1、一种晶片校角与研磨一体化的方法,精确测定每个晶片的切角误差的大小,其特征是根据晶片切角误差的大小采用相应的倾斜度的系列标准斜面的基板,用腊或其他沾贴剂将同样切角误差的晶片沾贴固定在基板的下表面相应倾斜度的系列标准斜面上,将沾贴固定好晶片的基板放在研磨机(双轴研磨机、四轴研磨机或六轴研磨机)的研磨盘上,把研磨机的铁笔插在基板凹槽中,用以压紧和拨动基板,然后开机进行研磨,由于基板的系列标准斜面的倾斜度与需校角与研磨的晶片切角误差大小相一致,先在研磨盘上加以粗研磨砂进行研磨,使研磨后的晶片表面与基板上表面平行,使晶片磨成一个楔形,楔形的斜度等于基板的系列标准斜面的倾斜度,继而再用细研磨砂进行研磨,使晶片的光洁度达到设计要求,使晶片的校角与研磨一同完成。
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