Bipolar transistor for high power in the microwave range.

摘要

Leistungstransistor mit einer in einem Array angeordneten Vielzahl kleiner Emitter-Basis-Komplexe (3), die jeweils durch Trennbereiche (4) von dem umgebenden Halbleitermaterial elektrisch isoliert sind, wobei für die Stromzuleitung zu den Kollektoren eine gemeinsame Subkollektorschicht und darauf außerhalb der Emitter-Basis-Komplexe und bis an die Trennbereiche (4) heranreichend eine Kollektormetallisierung vorhanden sind und wobei die einzelnen Emitter-Basis-Komplexe (3) über streifenförmige Basiszuleitungen (1) und streifenförmige Emitterzuleitungen (3) miteinander und mit einer Basis-Kontaktfläche (B) und einer Emitter-Kontaktfläche (E) elektrisch verbunden sind. <IMAGE>