| 发明名称 |
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF HIGH-MELTING-POINT METAL SILICIDE FILM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0491431(A) |
申请公布日期 |
1992.03.24 |
| 申请号 |
JP19900205712 |
申请日期 |
1990.08.01 |
| 申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP |
发明人 |
KOMABAYASHI MASASHI;MURAKAMI YOSHIO;MORI RIE |
| 分类号 |
C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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