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L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET, EN PARTICULIER, LA FORMATION D'UNE PASTILLE A STRUCTURE SILICIUM-SUR-SAPHIR.UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DE SILICIUM 12 EST FORMEE SUR UN PLAN PRINCIPAL D'UN SUBSTRAT DE SAPHIR 10. ON FORME UNE PARTIE AMORPHE 18 DANS UNE COUCHE DE SILICIUM 16 EN LAISSANT INCHANGEE SA PARTIE SUPERFICIELLE 17 D'EPAISSEUR PREDETERMINEE ET EN INJECTANT DES IONS SI 14 DANS LA COUCHE 12. LA PARTIE AMORPHE ATTEINT L'INTERFACE AVEC LE SUBSTRAT DE SAPHIR. LA PASTILLE 20 AINSI FORMEE EST PLACEE SUR UNE PLAQUE DE REFROIDISSEMENT 32 DANS UN FOUR 24. LE SUBSTRAT 10 EST FIXE A LA PLAQUE 32 A L'AIDE D'INDIUM 40 ET EST REFROIDI A UNE TEMPERATURE PREDETERMINEE. UNE TEMPERATURE SUPERIEURE EST APPLIQUEE A LA COUCHE DE SILICIUM 16 COMPORTANT LA PARTIE AMORPHE 18 ET DE L'AZOTE GAZEUX CIRCULE DANS LE FOUR.
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