发明名称 ISOTOPICALLY ENRICHED SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要 Structure de semi-conducteur comportant une région mono-cristalline (6, 4) composée d'un matériau semi-conducteur enrichi isotopiquement, et un composant semi-conducteur (8, 10) formé dans la région du matériau semi-conducteur enrichi isotopiquement.
申请公布号 WO9204731(A1) 申请公布日期 1992.03.19
申请号 WO1991US06424 申请日期 1991.09.05
申请人 YALE UNIVERSITY 发明人 MA, TSO-PING
分类号 H01L29/16;H01L29/20;H01L33/30;H01L33/34;H01S5/024 主分类号 H01L29/16
代理机构 代理人
主权项
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