发明名称 | 偏锡酸锌气敏元件 | ||
摘要 | 本发明用ZnSnO3或Zn2Sn4,添加一定的SiO2,Al(OH)3作为填充剂和粘合剂,通过研磨、涂料、烧结等工艺可制成直热式、旁热式等半导体气敏元件。采用丝网印刷技术、真空蒸发及贱射技术,亦可制厚膜或薄膜型半导体气敏元件。经测试表明,用上述材料和工艺制成的气敏元件,对氢、水煤气等气体敏感,具有较高的稳定性和选择性。可用于氢、水煤气、石油液化气等的检测及报警。 | ||
申请公布号 | CN1015936B | 申请公布日期 | 1992.03.18 |
申请号 | CN86106681.2 | 申请日期 | 1986.10.09 |
申请人 | 云南大学 | 发明人 | 吴兴惠 |
分类号 | G01N27/12;H01L49/00 | 主分类号 | G01N27/12 |
代理机构 | 云南省高校专利事务所 | 代理人 | 朱智华 |
主权项 | 1、一种半导体气敏元件,由烧结工艺制成,其结构可以是直热式或旁热式(含厚膜型),包括电极,敏感材料,底座,不锈钢网罩,旁热式还包括瓷体,其特征在于所述的气敏材料的主体是偏锡酸锌,并加以适量的SiO2和Al(OH)3。 | ||
地址 | 云南省昆明市翠湖北路52号 |