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发明名称 METHOD FOR STUDYING MAGNETIC AND ELECTRIC CHARACTERISTICS DEEP INTO CRYSTAL
摘要
申请公布号 SU1025226(A1) 申请公布日期 1983.12.30
申请号 SU19823381081 申请日期 1982.01.14
申请人 LABUSHKIN V.G.,SU;SARKISOV E.R.,SU;SARKISYAN V.A.,SU;KOVALENKO P.P.,SU;SELEZNEV V.N.,SU;PROKOPOV P.R.,SU 发明人 LABUSHKIN V.G.,SU;SARKISOV E.R.,SU;SARKISYAN V.A.,SU;KOVALENKO P.P.,SU;SELEZNEV V.N.,SU;PROKOPOV P.R.,SU
分类号 G01N23/20;(IPC1-7):G01N23/20 主分类号 G01N23/20
代理机构 代理人
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