四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长

摘要

四硼酸锂单晶(Li2B4O7∶LBO)的坩埚下降法(Bridgman)生长，属于单晶生长领域。本发明的特征是：横截面积P(＝S晶种/S晶体)≥15％的LBO晶种和密度为0.9～1.4克/厘米3的LBO压块，放入壁厚为0.08～0.15毫米的铂金坩埚中，在950～1100℃炉温下熔化压块和晶种顶部，再将铂坩埚以≤0.3毫米小时的速度下降，即可生长出无色透明，完整性好，不易开裂的LBO单晶体。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将多只坩埚放入Bridgman单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。

主权项

1.一种坩埚下降法生长四硼酸锂单晶(Li12B4O7；LBO)的技术，包括：(1)晶种沿<001>，<100>，<110>，<210>等取向；(2)高纯LBO粉料经静水压或模压成型，成压块；(3)压块置铂金坩埚内在950～1100℃下熔化；其特征在于：①压块密度为0.9-1.4克/厘米3；②所用铂金坩埚壁厚为0.08-0.15毫米；③垂直于生长方向的晶种横截面积与生长晶体的横截面积之比为≥15％；④以≤0.3毫米/小时的速度作坩埚下降。