发明名称 | 液晶器件基片的制备方法 | ||
摘要 | 公开了一种液晶器件基片的制备方法。该液晶器件包括一对基片,在二基片的内侧面上有多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的象素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无须对基片特别注意而把它们连接起来。该方法是用待制成电极条的导电薄膜涂敷一基片,再用准分子激光器的激光来照射以形成多个电极条而完成的。 | ||
申请公布号 | CN1015940B | 申请公布日期 | 1992.03.18 |
申请号 | CN90102570.4 | 申请日期 | 1987.08.07 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;间濑晃;坂寄宽幸 |
分类号 | G02F1/13;G02F1/1343 | 主分类号 | G02F1/13 |
代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
主权项 | 1.一种制备用于液晶器件的基片的方法,包括下列步骤:用导电薄膜涂敷一基片;以及用由准分子激光器(eximer laser)发射的激光束照射所述导电薄膜,使其形成多个电极条图形,其中在所述激光束的通路上设有一掩模。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |