Dielectrically isolated substrate with isolated high and low breakdown voltage elements,申请号US19910732575-传众专利搜索

发明名称	Dielectrically isolated substrate with isolated high and low breakdown voltage elements
摘要
申请公布号	US5097314(A)	申请公布日期	1992.03.17
申请号	US19910732575	申请日期	1991.07.18
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA	发明人	NAKAGAWA, AKIO;FURUKAWA, KAZUYOSHI;OGURA, TSUNEO;TANZAWA, KATSUJIRO
分类号	H01L21/761;H01L21/762;H01L21/763;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/739;(IPC1-7):H01L27/12;H01L27/04;H01L27/02	主分类号	H01L21/761
代理机构		代理人
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