| 发明名称 |
METHOD OF MAKING FIELD EFFECT TRANSISTORS IN AN INNER REGION OF A HOLE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5096845(A) |
申请公布日期 |
1992.03.17 |
| 申请号 |
US19900496714 |
申请日期 |
1990.03.21 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKA KAISHA |
发明人 |
INOUE, YASUO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/118;H01L29/08;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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