发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BICMOS-STRUKTUREN VON HOHER LEISTUNGSFAEHIGKEIT MIT POLYSILIZIUM-EMITTERN UND TRANSISTORBASEN AUS SILIZIDEN.
摘要
申请公布号 DE3776460(D1) 申请公布日期 1992.03.12
申请号 DE19873776460 申请日期 1987.07.10
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., CUPERTINO, CALIF., US 发明人 TUNTASOOD, PRATEEP, SAN JOSE CALIFORNIA 95148, US;MANOLIU, JULIANA, PALO ALTO CALIFORNIA 94303, US
分类号 H01L27/092;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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