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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A NON-VOLATILE MEMORY CELL AND LOGIC REGIONS BY USING A CVD SECOND INSULATING FILM
摘要
申请公布号 US5094967(A) 申请公布日期 1992.03.10
申请号 US19900620701 申请日期 1990.12.03
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 SHINADA, KAZUYOSHI;YOSHIDA, MASAYUKI;MIZUTANI, TAKAHIDE;HANADA, NAOKI
分类号 H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8247;H01L27/088;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
主权项
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