IMAGE SENSOR HAVING TRANSFER GATE BETWEEN THE PHOTODIODE AND THE CCD GATE

摘要

Un détecteur d'images agencé sur un substrat du type -P (12; 112) comprend une multiplicité de photodiodes à diode PIN (18; 118), un registre à décalage à CCD (20; 120) et une porte de transfert séparée enterrée (22; 122), placée entre chacune des photodiodes (18; 118) et le registre à CCD (20; 120). Les photodétecteurs (18; 118) sont agencés en au moins une ligne. Le registre à décalage à CCD (20; 120) s'étend le long de la ligne de photodétecteurs (18; 118). Chacun des photodétecteurs (18; 118) à diode PIN comprend une première région (24; 124) de conductivité de type -N située dans le substrat (12; 112) et une seconde région (26; 126) de conductivité de type P+ située dans la première région (24; 124) et le long de la surface de substrat. Le registre à décalage à CCD (20, 120) comprend une région en canal (30; 130) de conductivité de type -N située dans la surface du substrat, et deux ensembles de portes conductrices (34, 36; 134) le long de la région en canal (30; 130) et isolée de la surface de substrat (14; 114). Chaque porte de transfert (22; 122) comprend une région de transfert en canal (46; 146) de conductivité de type -N située dans le substrat et s'étendant le long de la surface du substrat de la région en canal (30; 130) du registre à décalage à la première région (24; 124) de son photodétecteur respectif (18; 118). Chaque porte (34; 134) de l'un des ensembles de portes de registre à décalage peut comporter une partie (50; 150) qui s'étend au-dessus de la région en canal (46; 146) de la porte de transfert.