Thyristor having a well defined lateral resistance and method of making the same.

摘要

Die Erfindung betrifft einen Thyristor der, bspw. zwischen einem Emittergebiet (8) und einem Hilfsemittergebiet (7), einen Widerstandsbereich (5) zur Bildung eines Lateral-Widerstandes (R) besitzt, wobei der Widerstandsbereich (5) eine definiert niedrigere Dotierungskonzentration als die ihn umgebende Schicht (2) aufweist. Die definiert niedrigere Dotierungskonzentration wird durch Aussparungen (3) in einer Belegungsschicht erzeugt und kann durch das Breitenverhältnis von abwechselnd angeordneten Aussparungen (3) und Stegen (4) eingestellt werden. Die Aussparung (3) und Stege (4) werden entweder durch Diffusion und anschließender Ätzung oder durch Implantation mit Implantationsmaske gebildet, bevor die Belegungsschicht in den Halbleiterkörper des Thyristors durch Erhitzen von einer Oberfläche (O) her eingetrieben wird. <IMAGE>