| 发明名称 | 具有埋入电极的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。 | ||
| 申请公布号 | CN1059234A | 申请公布日期 | 1992.03.04 |
| 申请号 | CN91103964.3 | 申请日期 | 1991.05.31 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 片冈有三;一濑敏彦;石敬治;浅羽哲朗 |
| 分类号 | H01L29/40;H01L29/70;H01L29/784 | 主分类号 | H01L29/40 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 冯赓瑄 |
| 主权项 | 1、一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区，其特征在于，在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||