发明名称 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A SUPRACONDUCTEUR.
摘要 Transistor à effet de champ comportant, sur un substrat (1), une couche (2) de matériau semiconducteur incorporant des inclusions (20, 21) naturelles ou artificielles en matériau supraconducteur. Sur cette couche (2) sont réalisées les électrodes de source, de drain et de grille (3, 4, 5). <BR/> APPLICATIONS: Transistors à effet de champ à tension de commande de grille faible
申请公布号 FR2666175(A1) 申请公布日期 1992.02.28
申请号 FR19900010513 申请日期 1990.08.21
申请人 THOMSON CSF 发明人 TYC STEPHANE;SCHUHL ALAIN
分类号 H01L39/00;H01L39/14 主分类号 H01L39/00
代理机构 代理人
主权项
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