| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI TRANSISTORI CON STRUTTURA GATE -ISOLANTE -SEMICONDUTTORE. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ITRM910621(A1) |
申请公布日期 |
1992.02.21 |
| 申请号 |
IT1991RM00621 |
申请日期 |
1991.08.19 |
| 申请人 |
SAMSUNG-ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM KYOUNG-TAE |
| 分类号 |
H01L;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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