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发明名称 HOCHINTEGRIERTES HALBLEITERSPEICHERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
摘要
申请公布号 DE4034995(A1) 申请公布日期 1992.02.20
申请号 DE19904034995 申请日期 1990.11.03
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 KIM, SEONG-TAE;KIM, KYUNG-HUN;KO, JAE-HONG;CHOI, SU-HAN, SEOUL/SOUL, KR
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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