发明名称 |
ETCHANT SOLUTION FOR PHOTORESIST-PATTERNED METAL LAYERS. |
摘要 |
Une solution de gravure se caractérise par le fait de comprendre de l'eau et: (a) entre 65 % et 75 % en poids environ d'acide phosphorique; (b) entre 1 % et 5 % en poids environ d'acide nitrique; (c) entre 0 % et 15 % en poids environ d'acide acétique; et (d) entre 0.005 % et 5 % en poids environ d'un agent tensio-actif en oxyde d'amine ayant la formule (I), dans laquelle R1 et R2 sont sélectionnés indépendamment l'un de l'autre dans le groupe formé du groupe alkyle inférieur ayant entre 1 et 4 atomes de carbone et des groupes alkoxy inférieurs ayant entre 1 et 4 atomes de carbone, et R3 est un groupe alkyle supérieur ayant entre 8 et 18 atomes de carbone ou un mélange de ceux-ci. |
申请公布号 |
EP0470957(A1) |
申请公布日期 |
1992.02.19 |
申请号 |
EP19900901235 |
申请日期 |
1990.11.20 |
申请人 |
OLIN CORPORATION |
发明人 |
ROCHE, THOMAS S.;PREUSS, MAUREEN S. |
分类号 |
B44C1/22;C09K13/06;C23F1/20;H01L21/308;H01L21/3213;H05K3/06 |
主分类号 |
B44C1/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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