发明名称 HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR MANUFACTURE METHOD AND APPARATUS
摘要
申请公布号 KR920001455(B1) 申请公布日期 1992.02.14
申请号 KR19880014849 申请日期 1988.11.11
申请人 HITACHI, LTD. 发明人 YAMAGUCH, HIROSHI;SAITO, GEIYA;ITTO, HUMIGAZ;ISHIDA, GOGI;SAKANO, SHINGI;DAMURA, MASAO;SYUGURI, SHOGI;ISIDANI, DORU;ICHIKUCHI, TSUNEO
分类号 H01L21/20;G01Q30/16;G01Q60/44;H01J37/08;H01J37/305;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/263;H01L21/265;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/338;H01L21/822;H01L21/8252;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01S3/18 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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