发明名称 CIRCUIT DE COMMANDE EN TECHNOLOGIE MOS.
摘要 <P>Un circuit de commande en technologie MOS, composé d'un étage de sortie symétrique (transistors NMOS M4 et M5) et d'un circuit survolteur (BT) qui fournit sur le nœud (N1) à l'entrée de la grille du transistor (M4), le survoltage (Vcc + alpha) nécessaire à commander l'état "haut" sur la borne de sortie (OT), caractérisé en ce que ce circuit de commande comprend un circuit limiteur (CP), qui limite le niveau (Vcc + alpha) sur le nœud (N1) à une tension de référence (VR) indépendante de la tension d'alimentation (Vcc), et cela en laissant écouler l'excès de charges du condensateur de suralimentation (Cb) depuis le nœud (N1) vers la borne de sortie (OT). <BR/> Cette limitation à une tension de référence constante (VR) empêche les variations de tension (Vcc) et le bruit sur sa ligne d'alimentation, de se répercuter sur le niveau de sortie (en OT). Le fait de décharger le condensateur (Cb) vers la borne de sortie (OT) permet à cette sortie (OT) de commander une charge capacitive plus élevée.</P>
申请公布号 FR2665775(A1) 申请公布日期 1992.02.14
申请号 FR19900013544 申请日期 1990.10.31
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 HYEON-SUN JANG
分类号 H03K17/16;G11C11/409;H03K5/08;H03K17/06;H03K17/14;H03K17/687;H03K19/094 主分类号 H03K17/16
代理机构 代理人
主权项
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