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<P>Un photodétecteur comprend un substrat en semiconducteur composé (5), une couche d'absorption de lumière ayant une bande d'énergie interdite plus étroite que celle du substrat, une couche de transition (2) qui est intercalée entre le substrat et la couche d'absorption de lumière et qui a une bande d'énergie interdite de largeur intermédiaire entre celles du substrat et de la couche d'absorption de lumière, au moins une cavité (6a) traversant le substrat et la couche de transition jusqu'à la couche d'absorption de lumière, une région (3) ayant un type de conductivité opposé à celui de la couche d'absorption de lumière, et formée dans cette dernière, au fond de la cavité, et des première et seconde électrodes (7, 8), respectivement en contact avec la région de type de conductivité opposé (3) et avec la couche d'absorption de lumière (1)</P> |
