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发明名称
含有静电电容元件的半导体装置及其制造方法
摘要
一种半导体装置包含一电容器,电容器由构制于一半导体基体上之一A1区,构制于A1区之一表面上之A1氧化物薄膜,及隔着该A1氧化物薄膜而与A1区相对之电极构成。
申请公布号
TW178710
申请公布日期
1992.02.11
申请号
TW080104253
申请日期
1991.05.30
申请人
佳能股份有限公司
发明人
中村佳夫;井下俊轮;菊池伸;让原浩;下幸彦
分类号
H01L21/02;H01L27/108
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项
地址
日本国东京都大田区下丸子三丁目三十番地二号
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