| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de fabrication de diméthyldichlorosilane par réaction de chlorure de méthyle sur une masse de contact solide formée de silicium et d'un catalyseur comportant (a) du cuivre métallique ou un composé à base de cuivre et (beta) un système promoteur comprenant: <BR/> - 10 à 1 000 ppm (calculés en poids d'étain et/ou d'antimoine métal par rapport à la masse de silicium engagée) d'un additif beta1 consistant dans au moins un métal choisi parmi l'étain et l'antimoine ou d'au moins un composé à base d'étain et/ou d'antimoine, <BR/> - 0 à 3 % en poids (calculés en zinc métal par rapport à la masse de silicium engagée) d'un additif facultatif beta2 consistant dans le zinc métallique ou un composé à base de zinc, <BR/> ledit procédé étant caractérisé en ce que le système promoteur (beta) contient en outre 0,01 à 2 % en poids (calculés en lanthanide métallique par rapport à la masse de silicium engagée) d'un additif complémentaire beta3 consistant dans au moins un composé à base de lanthanide, et éventuellement 0,05 à 2 % en poids (calculés en alcalin métal par rapport à la masse de silicium) d'un second additif complémentaire beta4 consistant dans au moins un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb et Cs ou au moins un composé dudit métal alcalin. <BR/> Par la mise en œuvre du procédé de l'invention, on améliore notamment la sélectivité en diméthyldichlorosilane.</P>
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