| 摘要 |
Un transistor à haute mobilité d'électrons ou THME comporte une couche de surface supérieure (22) entre sa grille et son drain, agencée pour produire un canal destiné à drainer la conductance proche de la conductance du canal sans porte, afin d'abaisser la conductance de sortie et de réduire les fuites de grille et la capacité de grille. Le transistor comporte une couche active à intervalle de bande élevé (20) destinée à produire un canal de gaz électronique bidimensionnel (16) dans une couche adjacente, ainsi que des électrodes de source (18), de grille (34) et de drain (40) sur la couche active. Une couche de surface non dopée ou légèrement dopée (22), se trouvant dans la région située entre la grille et le drain, produit une faible conductance pour une région de quelques centaines de Å à partir du bord latéral de drain de la grille. Cet agencement étend le domaine de champ électrique sur au moins cette distance correspondant à quelques centaines de Å. |
